полевой транзистор с затвором на основе перехода
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[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии. academic.ru. 2015.
junction-gate field-effect transistor — sandūrinis lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. junction gate FET; junction gate field effect transistor; p n junction FET vok. Sperrschicht Feldeffekttransistor, m; Sperrschicht FET, m rus. полевой транзистор … Radioelektronikos terminų žodynas
Field-effect transistor — FET redirects here. For other uses, see FET (disambiguation). High power N channel field effect transistor The field effect transistor (FET) is a transistor that relies on an electric field to control the shape and hence the conductivity of a… … Wikipedia
Junction Field Effect Transistor — Schémas de principe d un JFET à canal N Un transistor de type JFET (Junction Field Effect Transistor) est un transistor à effet de champ dont la grille est directement en contact avec le canal. On distingue les JFET avec un canal de type N, et… … Wikipédia en Français
Metal Semiconductor Field Effect Transistor — n Kanal Sperrschicht Feldeffekttransistoren (JFET) Der Metall Halbleiter Feldeffekttransistor (engl. metal semiconductor field effect transistor, MeSFET) gehört zur Gruppe der Sperrschicht Feldeffekttransistoren (JFET). Im Aufbau ähnelt er einem… … Deutsch Wikipedia
Junction Field Effect Transistor — Der Sperrschicht Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction fet, JFET bzw. non insulated gate fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n Kanal und p… … Deutsch Wikipedia
junction-gate FET — sandūrinis lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. junction gate FET; junction gate field effect transistor; p n junction FET vok. Sperrschicht Feldeffekttransistor, m; Sperrschicht FET, m rus. полевой транзистор … Radioelektronikos terminų žodynas
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
transistor à effet de champ avec grille à jonction — sandūrinis lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. junction gate FET; junction gate field effect transistor; p n junction FET vok. Sperrschicht Feldeffekttransistor, m; Sperrschicht FET, m rus. полевой транзистор … Radioelektronikos terminų žodynas
transistor à effet de champ à jonction p-n — sandūrinis lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. junction gate FET; junction gate field effect transistor; p n junction FET vok. Sperrschicht Feldeffekttransistor, m; Sperrschicht FET, m rus. полевой транзистор … Radioelektronikos terminų žodynas
Transistor — Eine Auswahl an diskreten Transistoren in verschiedenen Gehäuseformen Ein Transistor ist ein elektronisches Bauelement zum Schalten und Verstärken von elektrischen Signalen, ohne dabei mechanische Bewegungen auszuführen. Transistoren sind die… … Deutsch Wikipedia
